设备特点
规格参数
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项目指标
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压力范围1-3000N
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控压稳定性1~50N:±0.5N
51~3000N:±2N -
Wafer尺寸8/12 inch兼容
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压头控温范围RT~450℃
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压头控温稳定性±0.5℃
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压头升温速率(RT-450℃)6s@50*50mm; 2s@32*32mm
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键合后精度≤±2μm；≤±1μm；≤±500nm
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活化腔气氛氢自由基活化、等离子体活化
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键合腔气氛惰性气氛
