设备特点
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸2-12 inch
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适配材料Si、LT/LN、蓝宝石、InP、sicGaAs、GaN 等半导体材料以及金属、玻璃等
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产能≥12 pairs/h
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上料模式Cassette
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加压系统最大压力100kN
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溅射靶材≥2个,可旋转
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对准方式及精度边缘对准精度≤±50μm;Mark对准≤±2μm
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布局多腔室团簇式布局