设备特点
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸2-12 inch
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适配材料Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, as well as metals, glass, etc.
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产能≥6 pairs/h
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上料模式Cassette
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加压系统最大压力100kN
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独立溅射腔可选
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靶材数量≥2个,可旋转
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对准方式及精度边缘对准精度≤±50μm；Mark对准精度≤±2μm
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键合强度2.0J/m²@常温(Si-Si、玻璃-玻璃键合)
