设备特点
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸8，12 inch
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芯片尺寸5*8mm—50*50mm（红外穿透对准，Tape Frame形式上料）
0.5*0.5mm—50*50mm（片间同轴对准，Tape Frame形式上料） -
W2W键合精度≤±100nm
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W2W最大键合力300N
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W2W控压分辨率1N
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W2W产能WPH≥12
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C2W键合精度≤±500nm@片间同轴对准
≤±200nm@红外穿透对准 -
C2W最大键合力300N
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C2W控压精度±0.5N(0-50N)/±2N(50-300N)
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C2W产能400~2000UPH（单键合头）
